меню
РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
производитель
серия
упаковка
Статус
Пакет/кейс
Текущий рейтинг (А)
Тип монтажа
Частота
Конфигурация
Выходная мощность
Прирост
Технологии
Коэффициент шума
Пакет устройств поставщика
Оценка
Напряжение - номинальное
Напряжение - Тест
Текущий — Тест
Квалификация
Складские опции
Окружающая среда опции
медиа
рынок продукция
3,801 Результаты
Номер запчасти изготовителя количество цена серия упаковка Статус Пакет/кейс Текущий рейтинг (А) Тип монтажа Частота Конфигурация Выходная мощность Прирост Технологии Коэффициент шума Пакет устройств поставщика Оценка Напряжение - номинальное Напряжение - Тест Текущий — Тест Квалификация
1,042
In Stock
Active
Tray
Active
440226 - - 2.7GHz ~ 3.1GHz - 500W 15dB HEMT - 440226 - 50 V 50 V 500 mA -
1,309
In Stock
Active
Tray
Active
211-07 6A - 30MHz ~ 175MHz N-Channel 30W 15dB ~ 18dB MOSFET (Metal Oxide) - 211-07, Style 2 - 120 V 50 V 100 mA -
1,076
In Stock
Active
GaN
Tray
Active
440193 6.3A - 0Hz ~ 4GHz - 50W 12.5dB HEMT - 440193 - 150 V 50 V 300 mA -
1,067
In Stock
Active
GaN
Tray
Active
440224 - - 4.4GHz ~ 5.9GHz - 76W 13.3dB HEMT - 440224 - 150 V 50 V 150 mA -
1,038
In Stock
Active
GaN
Tray
Active
Die - - 8GHz - 45W 15dB HEMT - Die - 120 V 28 V 500 mA -
1,090
In Stock
Active
Tray
Active
440223 28A Chassis Mount 2.5GHz - 130W 20dB HEMT - 440223 - 84 V 28 V 1 A -
1,136
In Stock
Active
Tray
Active
319-07 4A - 30MHz ~ 500MHz N-Channel 20W 16dB MOSFET (Metal Oxide) - 319-07, Style 3 - 65 V 28 V 25 mA -
1,425
In Stock
Active
Tray
Active
211-07 2.5A - 400MHz N-Channel 15W 16dB MOSFET (Metal Oxide) 1dB 211-07, Style 2 - 65 V 28 V 25 mA -
1,025
In Stock
Active
GaN
Tray
Active
440217 24A - 2.7GHz ~ 3.1GHz - 500W 13.5dB HEMT - 440217 - 125 V 50 V 500 mA -
1,057
In Stock
Active
GaN
Tray
Active
440166 - - 3GHz - 30W 14.5dB HEMT - 440166 - 84 V 28 V 150 mA -