меню

RGW50TK65GVC11

номенклатурный номер
RGW50TK65GVC11
производитель ROHM Semiconductor
Прочие номера деталей
846-RGW50TK65GVC11-ND
846-RGW50TK65GVC11CT
846-RGW50TK65GVC11CT-ND
846-RGW50TK65GVC11CTINACTIVE
846-RGW50TK65GVC11DKR
846-RGW50TK65GVC11TR
846-RGW50TK65GVC11DKR-ND
846-RGW50TK65GVC11DKRINACTIVE
846-RGW50TK65GVC11
846-RGW50TK65GVC11TR-ND
описание IGBT TRNCH FIELD 650V 30A TO3PFM
подробное описание IGBT Trench Field Stop 650 V 30 A 67 W Through Hole TO-3PFM
Стандартный срок поставки 22 weeks

продуктовые свойства

категория
производитель ROHM Semiconductor
серия
Статус Active
Пакет/кейс TO-3PFM, SC-93-3
Тип монтажа Through Hole
Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
Тип ввода Standard
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 25A
Пакет устройств поставщика TO-3PFM
Тип БТИЗ Trench Field Stop
Td (вкл/выкл) при 25°C 35ns/102ns
Переключение энергии 390µJ (on), 430µJ (off)
Условия испытания 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Заряд от ворот 73 nC
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 30 A
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 650 V
Ток-коллекторный импульсный (Icm) 100 A
Мощность - Макс. 67 W

медиа и загрузка

Тип ресурса ссылка

сектор окружающей среды и экспортные категории

свойство Описание
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (Unlimited)
Достигнуто состояние REACH REACH Unaffected
Состояние RoHS Соответствует стандарту RoHS

текущий товар: 1450

сразу отправляется
Упаковка количество единовременная цена Общий ценник
{{ p.name }} {{ numberFormat(p.buyQty) }} {{ priceFormat(p.unitPrice) }} {{ priceFormat(p.totalPrice) }}
Общий объем {{ priceFormat(quotes.total) }} (including {{ priceFormat(quotes.fee) }} fee)

{{ package.name }}

количество единовременная цена Общий ценник
{{ numberFormat(price.break_quantity) }} {{ priceFormat(price.unit_price) }} {{ priceFormat(price.break_quantity * price.unit_price) }}
Подробная информация о ценах пока отсутствует.
Временно невозможно получить информацию об упаковке