IXTP2N65X2 - IXYS

86+13620209915

IXTP2N65X2

IXTP2N65X2

номенклатурный номер	IXTP2N65X2
производитель	IXYS
описание	MOSFET N-CH 650V 2A TO220
подробное описание	N-Channel 650 V 2A (Tc) 55W (Tc) Through Hole TO-220
Стандартный срок поставки	32 weeks
Спецификация	Datasheet

продуктовые свойства

Package / Case		TO-220-3
Mounting Type		Through Hole
Operating Temperature		-55°C ~ 150°C (TJ)
Technology		MOSFET (Metal Oxide)
FET Type		N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C		2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs		2.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max)		55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id		5V @ 250µA
Supplier Device Package		TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)		10V
Vgs (Max)		±30V
Drain to Source Voltage (Vdss)		650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs		4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds		180 pF @ 25 V

доступно для заказа

количество (1067)

Упаковка	количество	единовременная цена	Общий ценник
{{ p.name }}	{{ numberFormat(p.buyQty) }}	{{ priceFormat(p.unitPrice) }}	{{ priceFormat(p.totalPrice) }}
Общий объем {{ priceFormat(quotes.total) }} (including {{ priceFormat(quotes.fee) }} fee)

{{ package.name }}

количество	единовременная цена	Общий ценник
{{ numberFormat(price.break_quantity) }}	{{ priceFormat(price.unit_price) }}	{{ priceFormat(price.break_quantity * price.unit_price) }}

Подробная информация о ценах пока отсутствует.

Временно невозможно получить информацию об упаковке