IXTT10N100D2 - IXYS

86+13620209915

IXTT10N100D2

IXTT10N100D2

номенклатурный номер	IXTT10N100D2
производитель	IXYS
описание	MOSFET N-CH 1000V 10A TO268
подробное описание	N-Channel 1000 V 10A (Tc) 695W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Стандартный срок поставки	52 weeks
Спецификация	Datasheet

продуктовые свойства

Package / Case		TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type		Surface Mount
Operating Temperature		-55°C ~ 150°C (TJ)
Technology		MOSFET (Metal Oxide)
FET Type		N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C		10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs		1.5Ohm @ 5A, 10V
FET Feature		Depletion Mode
Power Dissipation (Max)		695W (Tc)
Supplier Device Package		TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)		10V
Vgs (Max)		±20V
Drain to Source Voltage (Vdss)		1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs		200 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds		5320 pF @ 25 V

доступно для заказа

количество (1000)

Упаковка	количество	единовременная цена	Общий ценник
{{ p.name }}	{{ numberFormat(p.buyQty) }}	{{ priceFormat(p.unitPrice) }}	{{ priceFormat(p.totalPrice) }}
Общий объем {{ priceFormat(quotes.total) }} (including {{ priceFormat(quotes.fee) }} fee)

{{ package.name }}

количество	единовременная цена	Общий ценник
{{ numberFormat(price.break_quantity) }}	{{ priceFormat(price.unit_price) }}	{{ priceFormat(price.break_quantity * price.unit_price) }}

Подробная информация о ценах пока отсутствует.

Временно невозможно получить информацию об упаковке