￥ 人民币 $ USD € 欧元
简体中文 Русский English
86+13620209915
меню
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
производитель
серия
упаковка
Статус
Пакет/кейс
Тип монтажа
Конфигурация
Рабочая Температура
Технологии
Мощность - Макс.
Напряжение стока к источнику (Vdss)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
Особенность полевого транзистора
Vgs(th) (Макс) @ Id
Пакет устройств поставщика
Оценка
Квалификация
Складские опции
Окружающая среда опции
медиа
рынок продукция
5,554 Результаты
Номер запчасти изготовителя количество цена серия упаковка Статус Пакет/кейс Тип монтажа Конфигурация Рабочая Температура Технологии Мощность - Макс. Напряжение стока к источнику (Vdss) Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Rds включен (макс.) @ Id, Vgs Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Особенность полевого транзистора Vgs(th) (Макс) @ Id Пакет устройств поставщика Оценка Квалификация
ALD1103SBL
ALD1103SBL
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
Advanced Linear Devices, Inc.
1,099
In Stock
Active
Tube
Active
 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Surface Mount 2 N and 2 P-Channel Matched Pair 0°C ~ 70°C (TJ) MOSFET (Metal Oxide) 500mW 10.6V 40mA, 16mA 10pF @ 5V 75Ohm @ 5V - - 1V @ 10µA 14-SOIC - -
ALD1101PAL
ALD1101PAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Advanced Linear Devices, Inc.
1,085
In Stock
Active
Tube
Active
 8-DIP (0.300", 7.62mm) Through Hole 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 0°C ~ 70°C (TJ) MOSFET (Metal Oxide) 500mW 10.6V - - 75Ohm @ 5V - - 1V @ 10µA 8-PDIP - -
ALD1116PAL
ALD1116PAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Advanced Linear Devices, Inc.
1,085
In Stock
Active
Tube
Active
 8-DIP (0.300", 7.62mm) Through Hole 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 0°C ~ 70°C (TJ) MOSFET (Metal Oxide) 500mW 10.6V - 3pF @ 5V 500Ohm @ 5V - - 1V @ 1µA 8-PDIP - -
ALD1117SAL
ALD1117SAL
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
Advanced Linear Devices, Inc.
1,548
In Stock
Active
Tube
Active
 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Surface Mount 2 P-Channel (Dual) Matched Pair 0°C ~ 70°C (TJ) MOSFET (Metal Oxide) 500mW 10.6V - 3pF @ 5V 1800Ohm @ 5V - - 1.2V @ 1µA 8-SOIC - -
ALD110900SAL
ALD110900SAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
Advanced Linear Devices, Inc.
1,309
In Stock
Active
EPAD®, Zero Threshold™
Tube
Active
 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Surface Mount 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 0°C ~ 70°C (TJ) MOSFET (Metal Oxide) 500mW 10.6V - 2.5pF @ 5V 500Ohm @ 4V - - 20mV @ 1µA 8-SOIC - -
ALD1117PAL
ALD1117PAL
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
Advanced Linear Devices, Inc.
1,022
In Stock
Active
Tube
Active
 8-DIP (0.300", 7.62mm) Through Hole 2 P-Channel (Dual) Matched Pair 0°C ~ 70°C (TJ) MOSFET (Metal Oxide) 500mW 10.6V - 3pF @ 5V 1800Ohm @ 5V - - 1.2V @ 1µA 8-PDIP - -
NXH003P120M3F2PTNG
NXH003P120M3F2PTNG
SILICON CARBIDE (SIC) MODULE EL
Sanyo Semiconductor/onsemi
1,020
In Stock
Active
Tray
Active
 Module Chassis Mount 2 N-Channel (Half Bridge) -40°C ~ 150°C (TJ) Silicon Carbide (SiC) 1.48kW (Tj) 1200V (1.2kV) 435A (Tj) 20889pF @ 800V 5mOhm @ 200A, 18V 1200nC @ 20V - 4.4V @ 160mA 36-PIM (56.7x62.8) - -
FF5MR20KM1HHPSA1
FF5MR20KM1HHPSA1
MOSFET
IR (Infineon Technologies)
1,010
In Stock
Active
Tray
Active
 - - - - - - - - - - - - - - - -
FF8MR12W1M1HB70BPSA1
FF8MR12W1M1HB70BPSA1
MOSFET
IR (Infineon Technologies)
1,024
In Stock
Active
Tray
Active
 - - - - - - - - - - - - - - - -
DF11MR12W1M1HFB67BPSA1
DF11MR12W1M1HFB67BPSA1
SIC 1200V AG-EASY1B
IR (Infineon Technologies)
1,038
In Stock
Active
CoolSiC™
Tray
Active
 Module Chassis Mount - - Silicon Carbide (SiC) - 1200V (1.2kV) - - - - - - AG-EASY1B - -