￥ 人民币 $ USD € 欧元
简体中文 Русский English
86+13620209915
меню
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
производитель
серия
упаковка
Статус
Пакет/кейс
Тип монтажа
Рабочая Температура
Технологии
Тип полевого транзистора
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
Особенность полевого транзистора
Рассеиваемая мощность (макс.)
Vgs(th) (Макс) @ Id
Пакет устройств поставщика
Оценка
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
ВГС (Макс)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
Квалификация
Складские опции
Окружающая среда опции
медиа
рынок продукция
10,000 Результаты
Номер запчасти изготовителя количество цена серия упаковка Статус Пакет/кейс Тип монтажа Рабочая Температура Технологии Тип полевого транзистора Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Rds включен (макс.) @ Id, Vgs Особенность полевого транзистора Рассеиваемая мощность (макс.) Vgs(th) (Макс) @ Id Пакет устройств поставщика Оценка Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) ВГС (Макс) Напряжение стока к источнику (Vdss) Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Квалификация
STFU10N80K5
STFU10N80K5
MOSFET N-CH 800V 9A TO220FP
STMicroelectronics
1,946
In Stock
Active
MDmesh™ K5
Tube
Active
 TO-220-3 Full Pack Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) MOSFET (Metal Oxide) N-Channel 9A (Tc) 600mOhm @ 4.5A, 10V - 30W (Tc) 5V @ 100µA TO-220FP - 10V ±30V 800 V 22 nC @ 10 V 635 pF @ 100 V -
STF16N90K5
STF16N90K5
MOSFET N-CH 900V 15A TO220FP
STMicroelectronics
1,037
In Stock
Active
MDmesh™ DK5
Tube
Active
 TO-220-3 Full Pack Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) MOSFET (Metal Oxide) N-Channel 15A (Tc) 330mOhm @ 7.5A, 10V - 30W (Tc) 5V @ 100µA TO-220FP - 10V ±30V 900 V 29.7 nC @ 10 V 1027 pF @ 100 V -
2SK2534-TL-E
2SK2534-TL-E
NCH 10V DRIVE SERIES
Sanyo Semiconductor/onsemi
23,500
Marketplace
Active
Bulk
Active
 - - - - - - - - - - - - - - - - - -
UPA2721GR-E1-AT
UPA2721GR-E1-AT
N-CHANNEL POWER MOSFET
Intersil (Renesas Electronics Corporation)
343,500
Marketplace
Active
Bulk
Active
 - - - - - - - - - - - - - - - - - -
SPW11N60S5
SPW11N60S5
N-CHANNEL POWER MOSFET
IR (Infineon Technologies)
15,461
Marketplace
Active
CoolMOS™
Bulk
Active
 TO-247-3 Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) MOSFET (Metal Oxide) N-Channel 11A (Tc) 380mOhm @ 7A, 10V - 125W (Tc) 5.5V @ 500µA PG-TO247-3-21 - 10V ±20V 600 V 54 nC @ 10 V 1460 pF @ 25 V -
IRFBG20PBF-BE3
IRFBG20PBF-BE3
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
Vishay / Siliconix
2,760
In Stock
Active
Tube
Active
 TO-220-3 Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) MOSFET (Metal Oxide) N-Channel 1.4A (Tc) 11Ohm @ 840mA, 10V - 54W (Tc) 4V @ 250µA TO-220AB - 10V ±20V 1000 V 38 nC @ 10 V 500 pF @ 25 V -
G3R75MT12K
G3R75MT12K
SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
1,706
In Stock
Active
G3R™
Tube
Active
 TO-247-4 Through Hole -55°C ~ 175°C (TJ) SiCFET (Silicon Carbide) N-Channel 41A (Tc) 90mOhm @ 20A, 15V - 207W (Tc) 2.69V @ 7.5mA TO-247-4 - 15V +22V, -10V 1200 V 54 nC @ 15 V 1560 pF @ 800 V -
G3R40MT12D
G3R40MT12D
SIC MOSFET N-CH 71A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
2,732
In Stock
Active
G3R™
Tube
Active
 TO-247-3 Through Hole -55°C ~ 175°C (TJ) SiCFET (Silicon Carbide) N-Channel 71A (Tc) 48mOhm @ 35A, 15V - 333W (Tc) 2.69V @ 10mA TO-247-3 - 15V ±15V 1200 V 106 nC @ 15 V 2929 pF @ 800 V -
IRFB9N60APBF-BE3
IRFB9N60APBF-BE3
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
Vishay / Siliconix
1,024
In Stock
Active
Tube
Active
 TO-220-3 Through Hole -55°C ~ 150°C (TJ) MOSFET (Metal Oxide) N-Channel 9.2A (Tc) 750mOhm @ 5.5A, 10V - 170W (Tc) 4V @ 250µA TO-220AB - - ±30V 600 V 49 nC @ 10 V 1400 pF @ 25 V -
IRFR214PBF-BE3
IRFR214PBF-BE3
MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
Vishay / Siliconix
3,849
In Stock
Active
Tube
Active
 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Surface Mount -55°C ~ 150°C (TJ) MOSFET (Metal Oxide) N-Channel 2.2A (Tc) 2Ohm @ 1.3A, 10V - 2.5W (Ta), 25W (Tc) 4V @ 250µA TO-252AA - - ±20V 250 V 8.2 nC @ 10 V 140 pF @ 25 V -