номенклатурный номер |
IRF830AS
|
---|---|
производитель | Vishay / Siliconix |
Прочие номера деталей |
IRF830AS-ND
*IRF830AS
|
описание | MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK |
подробное описание | N-Channel 500 V 5A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK) |
Спецификация | Datasheet |
категория | ||
---|---|---|
производитель | Vishay / Siliconix | |
серия | ||
Статус | Obsolete | |
Пакет/кейс | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
Тип монтажа | Surface Mount | |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
Тип полевого транзистора | N-Channel | |
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 5A (Tc) | |
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 3A, 10V | |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.1W (Ta), 74W (Tc) | |
Vgs(th) (Макс) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
Пакет устройств поставщика | TO-263 (D2PAK) | |
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V | |
ВГС (Макс) | ±30V | |
Напряжение стока к источнику (Vdss) | 500 V | |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 24 nC @ 10 V | |
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 620 pF @ 25 V |
Тип ресурса | ссылка | |
---|---|---|
Правила | IRF830AS |
свойство | Описание | |
---|---|---|
ECCN | EAR99 | |
HTSUS | 8541.29.0095 | |
Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Достигнуто состояние REACH | REACH Unaffected | |
Состояние RoHS | RoHS non-compliant |