номенклатурный номер |
IRFD210
|
---|---|
производитель | Vishay / Siliconix |
Прочие номера деталей |
IRFD210-ND
*IRFD210
|
описание | MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP |
подробное описание | N-Channel 200 V 600mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP |
Спецификация | Datasheet |
категория | ||
---|---|---|
производитель | Vishay / Siliconix | |
серия | ||
Статус | Obsolete | |
Пакет/кейс | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | |
Тип монтажа | Through Hole | |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
Тип полевого транзистора | N-Channel | |
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 600mA (Ta) | |
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 360mA, 10V | |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 1W (Ta) | |
Vgs(th) (Макс) @ Id | 4V @ 250µA | |
Пакет устройств поставщика | 4-HVMDIP | |
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V | |
ВГС (Макс) | ±20V | |
Напряжение стока к источнику (Vdss) | 200 V | |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 8.2 nC @ 10 V | |
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 140 pF @ 25 V |
Тип ресурса | ссылка | |
---|---|---|
Правила | IRFD210 |
свойство | Описание | |
---|---|---|
ECCN | EAR99 | |
HTSUS | 8541.29.0095 | |
Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Достигнуто состояние REACH | REACH Unaffected | |
Состояние RoHS | RoHS non-compliant |