номенклатурный номер |
QJD1210011
|
---|---|
производитель | Powerex, Inc. |
Прочие номера деталей |
QJD1210011-ND
|
описание | SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE |
подробное описание | Mosfet Array 1200V (1.2kV) 100A (Tc) 900W Chassis Mount Module |
категория | ||
---|---|---|
производитель | Powerex, Inc. | |
серия | ||
Статус | Discontinued | |
Пакет/кейс | Module | |
Тип монтажа | Chassis Mount | |
Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) | |
Рабочая Температура | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
Технологии | Silicon Carbide (SiC) | |
Мощность - Макс. | 900W | |
Напряжение стока к источнику (Vdss) | 1200V (1.2kV) | |
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 100A (Tc) | |
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 10200pF @ 800V | |
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 100A, 20V | |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 500nC @ 20V | |
Vgs(th) (Макс) @ Id | 5V @ 10mA | |
Пакет устройств поставщика | Module |
Тип ресурса | ссылка | |
---|---|---|
Правила | QJD1210011 | |
Правила | Full SiC & Hybride SiC IGBTs Brief |
свойство | Описание | |
---|---|---|
ECCN | EAR99 | |
HTSUS | 8541.29.0095 | |
Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Состояние RoHS | Соответствует стандарту RoHS |